立即询价 国际诉讼：英诺赛科 337 调查终审胜诉
发布时间：2026-05-09
一、案件终审结果（2026 年 5 月 8 日）美国国际贸易委员会（ITC）就第 337-TA-1414 号调查作出最终裁定：核心结论：中国氮化镓（GaN）功率器件龙头英诺赛科，其当前在售产品未侵犯英飞凌任何涉案专利。具体裁定：ITC 全体委员一致认定：英诺赛科现有产品未侵犯英飞凌两项核心专利：US 9,070,755（涉及 GaN 器件电极设计专利）US 9,899,481（涉及 Ga
一、案件终审结果（2026 年 5 月 8 日）
美国国际贸易委员会（ITC）就第 337-TA-1414 号调查作出最终裁定：
- 核心结论：中国氮化镓（GaN）功率器件龙头英诺赛科，其当前在售产品未侵犯英飞凌任何涉案专利。
- 具体裁定：
- ITC 全体委员一致认定：英诺赛科现有产品未侵犯英飞凌两项核心专利：
- US 9,070,755（涉及 GaN 器件电极设计专利）
- US 9,899,481（涉及 GaN 器件封装设计专利）
- 委员会仅裁定：US 9,899,481 专利中的 2 项权利要求有效，且仅被英诺赛科早已停产、不再销售的历史旧型号产品侵权。
- ITC 全体委员一致认定：英诺赛科现有产品未侵犯英飞凌两项核心专利：
- 市场影响：
- 因涉案旧产品已退市，ITC 发布的有限排除令与禁止令对英诺赛科当前美国业务无实质影响。
- 英诺赛科可不受限制、持续向美国及全球客户正常供应现有全系列 GaN 功率器件。
- 案件意义：
- 这是中国第三代半导体企业首次在美 337 调查中获得完胜，未和解、未付费、未受限，彻底挫败海外巨头专利围剿。
二、案件完整时间线（2024—2026）
1. 起因：英飞凌发起 “全球专利围剿”（2024 年）
- 2024-03：英飞凌（德国功率半导体巨头）在美国加州北区法院起诉英诺赛科，指控侵犯其 4 项 GaN 专利。
- 2024-06：英飞凌在德国慕尼黑法院起诉，并在 PCIM 展获临时禁令，禁止英诺赛科展示相关产品中国保护知识产权网。
- 2024-07：英飞凌向 ITC 申请337 调查，要求发布全面排除令，彻底封杀英诺赛科产品进入美国。
- 2024-08：ITC 正式立案（案号 337-TA-1414）；德国法院一审判决英诺赛科部分产品在德侵权，英诺赛科上诉并反诉专利无效中国保护知识产权网。
2. 对抗：双线诉讼、攻防升级（2025 年）
- 2025-01：英诺赛科在苏州中院反诉英飞凌，指控其侵犯 2 项中国 GaN 核心专利，索赔2000 万元。
- 2025-04：英飞凌在美主动撤销 2 项专利指控，仅保留US 9,070,755、US 9,899,481两项核心专利中国保护知识产权网。
- 2025-11：中国国家知识产权局驳回英飞凌对英诺赛科 2 项核心专利的无效请求，维持专利有效。
- 2025-12：ITC 行政法官发布初步裁定：认定英诺赛科现有产品不侵权，仅旧产品部分侵权。
3. 终局：ITC 终审全胜（2026-05-08）
- ITC 全体委员维持并确认初步裁定：现有产品完全不侵权。
- 禁令仅针对已停产旧型号，不影响当前所有业务。
三、企业背景与行业意义
1. 英诺赛科（Innoscience）
- 定位：全球最大 GaN 功率半导体 IDM 厂商，中国第三代半导体标杆企业。
- 技术：全球首家实现 8 英寸硅基 GaN 量产，拥有珠海、苏州两大 8 英寸产线，月产能12,500 片晶圆。
- 产品：覆盖15V–1200V全电压 GaN 功率器件Innoscience，应用于手机快充、AI 服务器电源、5G 基站、新能源汽车。
- 专利：全球1100 + 项专利Innoscience，自主技术体系完整。<svg xmlns="http://www.w3.org/2000/svg" width="1em" height="1em" fill="none" viewBox="0 0 24 24" style="font-variant-numeric: normal; font-variant-east-asian: normal; font-variant-alternates: normal; font-size-adjust: none; font-kerning: auto; font-optical-sizing: auto; font-feature-settings: normal; font-variation-settings: normal; font-variant-position: normal; font-variant-emoji: normal; font-stretch: normal; line-height: 0px; display: block; flex: 0 1 auto; flex-direction: row; justify-content: normal; align-items: normal; padding: 0px; margin: 0px; background: none 0% 0% / auto repeat scroll padding-box border-box rgba(0, 0, 0, 0);">
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2. 案件深层意义
- 打破 “专利霸权”：证明中国第三代半导体已具备独立、完整的自主知识产权，可正面硬刚国际巨头专利壁垒。
- 市场保障：稳固美国市场（全球最大高端电源、快充、数据中心市场），为全球扩张扫清法律障碍。
- 行业标杆：为中芯国际、寒武纪、三安光电等中国芯片企业应对海外 337 调查提供完整胜诉范本。
- 产业信心：氮化镓（GaN）是 AI、快充、新能源的核心材料，胜诉标志中国在第三代半导体 “换道超车” 取得关键突破。
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